ד"ר אריאל ישמח

מדע והנדסה של חומרים סגל אקדמי בכיר
ד"ר אריאל ישמח
משרד: וולפסון הנדסה, 124

מידע כללי

מרצה בכיר (החל מ- 1/10/2014)

תחומי מחקר

  • סינטזה, איפיון ויישומים של חומרים שכבתיים

 

אנחנו מעוניינים לחקור את מנגנוני הגידול בננו-חומרים, בדגש על חומרים שכבתיים ברמת שכבה אטומית בודדת (כגון גרפן, גרפן, בורון ניטריד הקסגונלי, מתכות מעבר דיכלכוגניות, וכיו"ב) ולחקור את הקשר בין המבנה לתכונות.

 

חומרים שכבתיים הינם בעלי תכונות מגוונות, אל-מוליכים ((NbSe2, מתכות (גרפן,NbSe2, NbTe2, VO2  וכיו"ב), מוליכים למחיצה ( MoS2, MoSe2, WS2, WSe2 וכיו"ב) ומבודדים (h-BN). תכונותיהם הפיזיקליות תלויות במידה רבה במספר השכבות, סידור יחסי ביניהן, הרכב כימי ומבנה הקצוות. ישנו עיניין רב, מדעי וטכנולוגי, בהבנת תלות זו.

 

המחקר בקבוצה יתמקד בפיתוח שיטות חדשות לגידול חומרים אלו עם שליטה מקסימלית במבנה והרכב הכימי ולכן, בתכונותיהם הפיזיקליות וכימיות. בהמשך, נחקור את שילובם של חומרים ייחודים אלו בהתקנים שונים (חשמליים, אלקטרו-אופטים, חיישנים וכיו"ב). 

 

10 פרסומים נבחרים

  1. S. Z. Butler, S.M. Hollen, L. Cao, Y. Cui, J. A. Gupta, H. R. Gutiérrez, T. F. Heinz, S. S. Hong, J. Huang, A. Ismach, E. Johnston-Halperin, M. Kuno, V. V. Plashnitsa, R. D. Robinson, R. S. Ruoff, S. Salahuddin, J. Shan, L. Shi, M. G. Spencer, M. Terrones, W. Windl, and J. E. Goldberger. Progress, challenges, and opportunities in two-dimensional materials beyond Graphene. ACS Nano2013, 7 (4), 2898–2926.
  2. A. Ismach, H. Chou, D. Ferrer, Y. Wu, H.C. Floresca, S. McDonnell, A. Covacevich, C. Pope, R. Piner, R. Wallace, M. Kim, L. Colombo, R. Ruoff. Towards the controlled synthesis of hexagonal Boron Nitride films. ACS Nano, 2012, 6 (7), 6378–6385.
  3. X. Liang, Y. Jung, S. Wu, A. Ismach, D.L. Olynick, S. Cabrini, and J. Bokor. Formation of bandgap and subbands in Graphene nanomeshes with Sub-10 nm ribbon width fabricated via nanoimprint lithography. Nano Letters 2010, 10, 2454–2460.
  4. A. IsmachC. Druzgalski, S. Penwell, M. Zheng, A. Javey, J. Bokor, Y. Zhang. Direct chemical vapor deposition of Graphene on dielectric surfaces.Nano Letters 2010, 10, 1542-1548.
  5. L.G Cancado, A. Jorio, A. Ismach, E. Joselevich, A. Hartschuh, L. Novotny. Mechanism of near-field Raman enhancement in one-dimensional systems. Physical Review Letters 2009, 106, 186101-186104.
  6. N. Geblinger*A. Ismach* and E. Joselevich. Self-organized nanotube serpentines. Nature Nanotechnology 20083, 195-200.
  7. R. Gabai, A. Ismach and E. Joselevich. Nanofacet lithography: a new bottom-up approach to nanopatterning and nanofabrication by soft replication of spontaneously faceted crystal surfaces. Advanced Materials 2006, 19, 1325-1330.
  8. A. Ismach and E. Joselevich. Orthogonal self-assembly of carbon nanotube crossbar architectures by simultaneous graphoepitaxy and electric field-directed growth. Nano Letters 20066, 1706-1710.
  9. A. Ismach, D. Kantorovich and E. Joselevich. Carbon nanotube graphoepitaxy: highly oriented growth by faceted nanosteps. Journal of the American Chemical Society 2005127, 11554-11555.
  10. A. Ismach, L. Segev, E. Wachtel and E. Joselevich. Atomic step-templated assembly of single-wall Carbon nanotube patterns. Angewandte Chemie International Edition200443, 6140-6143.

 

אוניברסיטת תל-אביב, ת.ד. 39040, תל-אביב 6997801
UI/UX Basch_Interactive