בוא לקבל נסיון מעשי בזמן התואר, כאן באוניברסיטה!

03 נובמבר 2015

בוא לקבל נסיון מעשי בזמן התואר, כאן באוניברסיטה!

 

דרושים מתמחים ומתמחות לפיתוח עסקי

 

סטודנטים לתואר שני ודוקטורט, בעלי תואר ראשון בהנדסה, מדעים מדויקים או מדעי החיים

 

השנה תחל לפעול תכנית מתמחים ייחודית בחברת רמות,
חברת מסחור הטכנולוגיות של אוניברסיטת תל-אביב.

 

במסגרת התוכנית ייחשפו המתמחים לטכנולוגיות חדשניות
שפותחו באוניברסיטת תל-אביב וייקחו חלק בתהליכי פיתוח עסקי
ומסחור של טכנולוגיות אלה.

 

10 שעות שבועיות בלבד של עבודה מהבית!

 

  • נדרשת אנגלית ברמת שפת אם.

  • הכשרה והדרכה תינתן למתאימים.

 

למידע נוסף: www.ramot.org/fellows

Prof. Ali Yilmaz -The University of Texas at Austin

Petascale Integral Equation Methods for Quantifying the Performance of Antennas Near Humans

05 בנובמבר 2015, 15:00 
011 כיתות  
Prof. Ali Yilmaz -The University of Texas at Austin

You are invited to attend a lecture by:

 

Prof. Ali Yilmaz

 

The University of Texas at Austin

 

Petascale Integral Equation Methods for Quantifying the Performance of Antennas Near Humans

 

Abstract

The proliferation of wireless communication systems, the appetite for increased functionality of wireless devices, and the lack of conclusive studies on long-term effects of non-ionizing radio-frequency radiation have led to persistent public concern about the possible adverse health effects of radio-frequency power emitting devices in close proximity to humans. While simulation-based bioelectromagnetic (BIOEM) studies have generated an abundance of results inaccessible by experiments in the last three decades, these studies have frequently spawned diverse opinions instead of providing consensus; e.g., on whether the smaller heads of children absorb more radiation and/or allow deeper penetration. Such controversies highlight the pressing need for reproducible, reliable, high-resolution, and high-accuracy BIOEM simulations—a formidable task because of the complexity of the human body and nearby antennas. This talk will describe our recent progress on developing an integral-equation based simulator that capitalizes on petascale computers to perform unprecedented simulations of antennas near humans. The presentation will describe recently developed FFT acceleration, parallelization, and preconditioning techniques as well as our ongoing validation, verification, and benchmarking efforts. It will also demonstrate simulations of various antennas near the high-fidelity AustinMan and AustinWoman models (AustinMan and AustinWoman are publically available anatomical human models:

http://web2.corral.tacc.utexas.edu/AustinManEMVoxels/).

 

Bio

Ali Yılmaz received the Ph.D. degree in electrical and computer engineering from the University of Illinois at Urbana-Champaign in 2005. He was a Research Assistant from 1999 to 2005 and a Postdoctoral Research Associate from 2005 to 2006 at the Center for Computational Electromagnetics at the University of Illinois. In 2006, he joined the faculty of the Department of Electrical and Computer Engineering at the University of Texas at Austin, where he is currently an Associate Professor. He has authored/co-authored over 100 papers in refereed journals and international conferences. His current research interests include computational electromagnetics, with emphasis on fast frequency- and time-domain integral equation solvers, parallel algorithms, antenna and scattering analysis, microwave circuits, electromagnetic interference/compatibility, bioelectromagnetics, and geoelectromagnetics.

 

Thursday, November 5, 2015, at 15:00

 

Room 011, Kitot building

 

 

 

 

Seminar by Nandhini Swaminathan 3/11/15

 

Electrostatically-formed Nanowire Chemical Sensor

 

03 בנובמבר 2015, 11:00 
וולפסון 206  
 Seminar by Nandhini Swaminathan 3/11/15

You are invited to attend a lecture

By

 Nandhini Swaminathan

Ph.D. student of Professor Yossi Rosenwaks

Electrical Engineering, Physical Electronics Department

Tel Aviv University

 

 

Electrostatically-formed Nanowire Chemical Sensor

 

Abstract

 

The Electrostatically-formed Nanowire (EFN) field effect transistor, introduced in 2013, is an accumulation-type transistor with three independent gates: a back gate and two additional lateral junction gates located on either side of the conducting channel. The nanoscale channel is induced and controlled by depletion regions formed around it by the three surrounding gates. The nanowire in the EFN is not physically fabricated but obtained electrostatically in the bulk by appropriate biasing of the gates.

In this talk, we present the EFN as a unique and highly efficient chemical gas sensing platform. We demonstrate the EFN as a sensor for detecting various volatile organic compounds. The proposed sensing mechanism is the field effect induced by the analyte molecules adsorbed on the SiO2 that forms the molecular gate of the sensor. The sensor performance is highly dependent on the size and shape of the conducting channel, which can be controlled electrostatically. We show that this unique sensor attribute leads to highly desirable sensor features such as tunable sensitivity, dynamic range enhancement for a particular analyte and selectivity. The EFN sensor has the potential for incorporating the enormous advantages of nanotechnology while overcoming some of the disadvantages of nanomaterials based sensors. 

 

 

Tuesday, 3 November 2015, at 11:00

Room 206, Wolfson Mechanical Engineering Building

 

EE Seminar: Processing Textures in the Spectral Total-Variation Domain

~~
(The talk will be given in English)

Speaker:  Dr. Guy Gilboa
                   EE Technion

Wednesday, November 18th, 2015
15:00 - 16:00
Room 011, Kitot Bldg., Faculty of Engineering
Processing Textures in the Spectral Total-Variation Domain
Abstract
In this talk we will outline the recently proposed spectral total-variation domain and explain how textures can be isolated and manipulated easily within this representation.
Some theoretical aspects related to nonlinear spectral representations and nonlinear eigenvalue problems will be discussed.

18 בנובמבר 2015, 15:00 
חדר 011, בניין כיתות-חשמל  

EE Seminar: BTB Design And Optimization For VLIW DSPs

~~Speaker: Oren Cohen, 
M.Sc. student under the supervision of Prof. ShlomoWiess

Wednesday, January 13, 2016 at 15:00
Room 011, Kitot Bldg., Faculty of Engineering

BTB Design And Optimization For VLIW DSPs

Abstract

The demand for high performance, low power and low cost devices is greater than ever. This is especially the case when referring to real time tasks such as audio and video decoding or encoding. One way to target these goals is by implementing academic ideas and theories. But this is quite difficult due to the fact that in most cases the gap between theoretical ideas and practical implementation is so big that neither the researcher nor the developer can see eye to eye. The researcher cannot examine his theoretical ideas in order to deduce feasibility and developers have no motivation to deal with academic ideas since from their point of view they are not mature enough.

This seminar will present new concept to mitigate branch penalties for VLIW DSPs, which was tested and analyzed on dedicated simulation platform.

The solution presented by our research is based on BTB design. BTB design is usually not associated with VLIW DSPs. The common mitigation for branches penalty in VLIW DSPs is static prediction, delayed branches or combination of both. Our research presents new approach based on BTB solution, which improves the VLIW DSP performance.

 

13 בינואר 2016, 15:00 
חדר 011, בניין כיתות-חשמל  

זכייה במלגה

29 אוקטובר 2015

מזל טוב לרעות נוחם, דוקטורנטית של מיכל צור מהמחלקה להנדסת תעשייה וניהול על זכייתה במלגה של משרד המדע, הטכנולוגיה והחלל בתחום המדע היישומי וההנדסי לתלמידי תואר שלישי לשנת 2016, על עבודתה בנושא: "תכנון והיערכות לאסון מבוססי מציאות בשרשראות אספקה הומניטאריות"

עודכן: 13.04.2016

לוח בחני אמצע סמסטר

לתלמידי הפקולטה להנדסה סמסטר ב' תשע"ו

מעודכן ליום 13.4.16

 

תאריך

שעות

מס קורס

שם קורס

מרצה

מגמה

13.4.16

יום ד

11:10-12:40

0512460201

מבוא לתקשורת אופטית

פרופ' אייל אבישי

מר גבאי חניאל

חשמל ד

מחשב ד

פיזיקה ד

אביב 7

13.4.16

יום ד'

15:10-16:40

0512283208

מעגלים ומערכות לינאריות

פרופ' מסר-ירון חגית

אביב 3

14.4.16

יום ה'

10:10-11:40

0571280401

סטטיסטיקה

גב' חלוזין נורית

תעונ ב

15.4.16

יום ו'

בוחן 1/2

08:30-10:00

0510620201

תורת השערוך

ד"ר שייביץ עופר

לימודי המשך חשמל ג/ד

מחשב ג/ד

15.4.16

יום ו'

08:30-10:00

0509182603

פיזיקה 1

 

פרופ' עציון ארז

תעו"נ א

15.4.16

יום ו'

08:30-10:00

0509182606

פיזיקה 1

 

פרופ' גרבר אלכסנדר

ביו א

ביו מח א

15.4.16

יום ו'

08:30-10:00

0509284310

אנליזה הרמונית

מר לוי רון

אביב 3

מכנית ב

 

15.4.16

יום ו'

08:30-10:00

0509284313

אנליזה הרמונית

פרופ'

פישלוב דליה

מכנית ב

מכנית כדה"א ב

15.4.16

יום ו'

08:30-10:00

0512351308

מעגלים אלקטרוניים אנלוגיים

פרופ' רוזין אריה

אביב 5

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0512251001

מבני נתונים ואלגוריתמים

פרופ' רון-גולדרייך דנה

חשמל ב

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0512251004

מבני נתונים ואלגוריתמים

פרופ' רון-גולדרייך דנה

חשמל ב

פיזיקה ב

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0542182001

סטטיקה של גוף קשיח

מר לוי ששון אביעד

מכנית א

מכנית כדהא א

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0512356106

מערכות לוגיות ספרתיות

פרופ' אבידן שמואל

ד"ר אפלבאום בני

חשמל א

פיסיקה א

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0512356109

מערכות לוגיות ספרתיות

פרופ' אבידן שמואל

ד"ר אפלבאום בני

חשמל א

פיסיקה א

15.4.16

יום ו'

10:45-12:15

0512410001

מערכות תקשורת

ד"ר ג'יריס רג'א

חשמל ג

פיזיקה ג

מחשב ג/ד

אביב 7

17.4.16

יום א'

09:10-10:40

0555225001

מערכות פיזיולוגיות בגוף האדם

פרופ' שיינוביץ מיקי

ביו ב

20.4.16

יום ד'

09:00-11:00

0542462201

דינמיקה ובקרה של מערכות

ד"ר קושה גבור

מכנית ג'

לימודי המשך

1.5.16

יום א'

11:10-12:40

0509284413

פונקציות מורכבות

מר עזורי רן

אביב 3

2.5.16

יום ב'

09:10-10:40

0571313701

ניתוח נתונים סטטיסטי

פרופ'

חמלניצקי יבגני

תעו"נ ג

2.5.16

יום ב'

10:10-11:40

0571181701

מבוא להנדסת תעשייה וניהול

פרופ' בוקצין יוסף

תעו"נ א'

2.5.16

יום ב'

16:10-17:40

0542422402

מכניקת מוצקים 2

מר קרקובר נפתלי

מכנית ג

2.5.16

יום ב'

17:10-18:40

0512480001

הנדסת מיקרוגלים

פרופ' בוג אמיר

ד"ר גרב חונה

חשמל ג

פיזיקה ג

אביב 7

2.5.16

יום ב'

17:00-18:30

0571415204

0571415205

0571415206

מעבדה בייצור משולב מחשב

CIM

מר סלע אלון

תעו"נ ד

3.5.16

יום ג'

10:10-11:40

0512252601

שדות וגלים אלקטרומגנטיים

ד"ר גולוב מיכאל

מחשב ב

3.5.16

יום ג'

12:10-13:40

0555451001

עיבוד אותות ביולוגיים ורפואיים

פרופ' עבוד שמעון

ביו ג

ביו מח ג

ביו ד

3.5.16

יום ג'

14:00-15:30

0542181001

מכניקה של חלקיקים

גב' זמיר אלה

מכנית א'

מכנית כהדה"א א

4.5.16

יום ד'

14:10-15:40

0555110101

בוחן 2/2

בילוגיה של התא

ד"ר מובר חיה

ביו א

 

4.5.16

יום ד'

08:10-09:40

0512120208

אלקטרוניקה בסיסית

מר יהודה מאיר

ביו ב

ביו מח ב

4.5.16

יום ד'

08:10-09:40

0542220002

מכניקת המוצקים1

פרופ' שרמן דב

מכנית ב

1/2/5

4.5.16

יום ד'

11:10-12:40

0512363208

אותות אקראיים ורעש

פרופ' ברונשטיין אלכסנדר

אביב 5

6.5.16

יום ו'

08:30-10:00

0512283007

פיזיקה קוואנטית ומצב מוצק

ד"ר באב"ד אלון

אביב 3

6.5.16

יום ו'

08:30-10:00

0509284603

משוואות דיפרנציאליות חלקיות

ד"ר דוראל-אללישוילי ללה

חשמל ב

6.5.16

יום ו'

08:30-10:00

0509284607

משוואות דיפרנציאליות חלקיות

מר זילבורג אלון

מכנית ב

ביו ב

ביו מח ב

6.5.16

יום ו'

08:30-10:00

0509284610

משוואות דיפרנציאליות חלקיות

מר זילבורג אלון

מכנית ב

מכנית -כדהא ב

ביו ב

6.5.16

יום ו'

08:30-10:00

0509184622

חדווא 1 ב'

פרופ' קוניאבסקי בוריס

אביב 1

06.05.16

יום ו'

08:30-10:00

0542422101

מבוא לתורת האלסטיות

פרופ' חי הרצל

מכנית ג

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184503

משוואות דיפרנציאליות רגילות

מר קירו אבנר

חשמל א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184506

משוואות דיפרנציאליות רגילות

מר סובר ברק

חשמל א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184509

משוואות דיפרנציאליות רגילות

גב' אמיר ענת

מכנית א

מכנית כדוה"א א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184512

משוואות דיפרנציאליות רגילות

מר חזן צחי

מכנית א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184515

משוואות דיפרנציאליות רגילות

מר חזן צחי

תעו"נ א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184518

משוואות דיפרנציאליות רגילות

ד"ר בן סימון גבריאל

ביו א

ביו מח א

6.5.16

יום ו'

10:45-12:15

0509184521

משוואות דיפרנציאליות רגילות

ד"ר כהן בועז

מחשב א

9.5.16

יום ב'

12:10-13:40

0555445001

שיטות חישוביות

מר וייס דר

ביו ד

15.5.16

יום א

14:00-15:30

0512283504

בוחן 2/2

אותות ומערכות

פרופ' פורסט יוסט מרים

פיסיקה ב

17.5.16

יום ג'

 

08:10-09:40

 

0512283502

בוחן 2/2

אותות ומערכות

פרופ' פורסט יוסט מרים

חשמל ב1

חשמל ב2

19.5.16

יום ה'

08:10-9:40

0512283503

בוחן 2/2

אותות ומערכות

פרופ' פורסט יוסט מרים

חשמלב3

חשמלב4

19.5.16

יום ה'

12:10-13:40

0512283507

בוחן 2/2

אותות ומערכות

פרופ' פורסט יוסט מרים

מחשב ב

19.5.16

יום ה'

14:10-15:40

0512283506

בוחן 2/2

אותות ומערכות

פרופ' פורסט יוסט מרים

חשמלב5

חשמלב6

      3.6.16

יום ו'

בוחן 2/2

08:30-10:00

0510620201

תורת השערוך

ד"ר שייביץ עופר

לימודי המשך חשמל ג/ד

מחשב ג/ד

 

 

מענק מחקר

28 אוקטובר 2015

 דר' נתי שקד מהמחלקה להנדסה ביו-רפואית זכה במענק היוקרתי של  ERC בסך 1.9 מיליון אירו שכותרתו :

 

OptiQ-CanDoHybrid Optical Interferometry for Quantitative Cancer Cell Diagnosis

 

 

 

III-V nano-scale MOSFETs - 29/10/15

 

Alon Vardi

 MIT – Massachusetts Institute of Technology

III-V nano-scale MOSFETs

29 באוקטובר 2015, 15:00 
011 kitot  
III-V nano-scale MOSFETs - 29/10/15

 

You are invited to attend a lecture

By:

 Alon Vardi

MIT – Massachusetts Institute of Technology

alonva@mit.edu.ac.il

 III-V nano-scale MOSFETs

InGaAs has emerged as the most promising n-channel material for sub-10 nm CMOS. In this dimensional range, only high aspect-ratio 3D transistors with a fin or nanowire configuration can deliver the necessary performance. To demonstrate these types of advanced devices, we are investigating top-down fabrication techniques. There are many challenges to overcome before such devices could advance the state of art. Some of these are: obtaining Nano-scale contacts, developing high aspect-ratio semiconductor structures with vertical sidewalls, curing etch damage, and obtaining a high quality sidewall MOS interface.

In this talk, I will present key technologies developed in our lab, and their application mainly to InGaAs FinFETs. Using this technology, we have obtained record nanoscale contacts, and demonstrated for the first time III-V FinFETs with sub 10 nm fin width.

 Thursday, October 29, 2015, at 15:00

 Room 011, Kitot building

 

 

 

עמודים

אוניברסיטת תל אביב עושה כל מאמץ לכבד זכויות יוצרים. אם בבעלותך זכויות יוצרים בתכנים שנמצאים פה ו/או השימוש שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות
שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות נא לפנות בהקדם לכתובת שכאן >>